近日，第十九届全国MOCVD学术会议在呼和浩特开幕。会议由中国有色金属学会、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）联合主办，内蒙古大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、江苏第三代半导体研究院等承办，我校还牵头主办了MOCVD暑期讲习班。
会议现场
中国科学院院士郝跃、杨德仁、江风益、刘益春、施毅，中国工程院院士罗毅，呼和浩特市人民政府副市长郭树明，我校校长武利民，中国有色金属学会副理事长兼秘书长高焕芝，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲等出席开幕式。来自全国高校、科研院所及行业企业的近千名专家学者、青年师生和工程技术人员参会。开幕式由刘益春院士主持。
郝跃院士致辞
郝跃院士回顾了全国MOCVD学术会议37年的发展历程。他说，MOCVD是化合物半导体材料制备的核心装备，战略地位十分重要，当前行业机遇与挑战并存，“十五五”规划布局及新能源、AI算力等新兴赛道为我国MOCVD产业开辟了广阔发展空间，希望与会人员围绕会议五大核心议题深化交流、协同攻关，共同推动我国MOCVD技术再上新台阶。
呼和浩特市人民政府副市长郭树明致辞
郭树明代表呼和浩特市委、市政府对大会的召开表示祝贺，并介绍了呼和浩特市新材料产业的集群发展成效。他说，本次会议为城市集聚高端创新资源、推动半导体产业发展注入了动力，呼和浩特将以最优政策与服务保障，欢迎各位专家学者、企业家将前沿成果落地青城，共促产业高质量发展。
我校校长武利民致辞
武利民代表学校向参会的各位嘉宾致以诚挚欢迎，对各位专家长期以来对内蒙古大学相关学科的支持表示感谢！他说，内蒙古大学始终以开放之姿、诚挚之心，热忱欢迎广大专家学者依托内蒙古大学开展高水平科研合作、共促成果转化，学校将倾力搭建平台、优化生态，以全方位保障为创新护航，携手共筑边疆科技高地。
高焕芝、吴玲分别代表中国有色金属学会、第三代半导体产业技术创新战略联盟致辞，表示将持续支持MOCVD领域学术研究与产业深度融合，助力我国宽禁带半导体产业实现自主可控发展。
江风益院士作大会特邀报告
主旨报告环节，江风益院士作首场主旨报告，杨德仁院士主持主旨报告环节。近期，江风益院士牵头完成的研究成果荣获国家自然科学一等奖，实现了我国半导体领域该奖项的重大突破。报告中，他围绕硅基氮化镓材料与器件研究方向，系统分享了团队在材料生长机理、界面扩散调控、专用装备研发等方面的最新进展，内容兼具理论深度与应用价值，现场反响热烈。
大会程序委员会主席徐科研究员作会议总结发言
分会场现场
本次会议设置“材料生长、表征与装备”“功率电子与射频器件”“光电子器件与应用”“超宽禁带半导体与前沿交叉”“新型器件及面向AI等新应用”五个专题分会场。与会专家学者围绕MOCVD材料外延生长、装备与工艺、宽禁带及超宽禁带半导体、功率与射频器件、光电子器件、新型器件及人工智能应用等方向，交流前沿进展，研讨关键技术与产业需求，共同探索技术创新和产业协同发展的有效路径。大会程序委员会主席徐科研究员作会议总结发言。
会前，由我校与国家第三代半导体技术创新中心（苏州）共同举办的MOCVD暑期讲习班已于7月25-27日在我校开班。讲习班邀请多位国内 MOCVD 领域知名专家授课，面向全国青年教师、博硕士研究生及企业代表开展系统教学与互动研讨，为青年学子搭建了体系化的学习交流平台，也为大会召开营造了浓厚的学术氛围。
暑期讲习班现场
全国MOCVD学术会议是我国在化合物半导体领域层次最高、影响力最广的学术盛会。此次会议落地呼和浩特，推动了高端学术资源与地方产业、高校学科建设的深度对接，为各方深化产学研合作、引进优质学术资源、加强学科内涵建设、实现高质量发展提供了重要平台。
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来源 ：物理科学与技术学院
编辑 ：单文静 王丹妮
校对 ：甄雨曦 贾慧婷
责编 ：张书宁
初审 ：武涛 乌丽雅斯
复审 ：李文娟
终审 ：阿茹娜 |
